简介本资源是面向智能车竞赛如C车、F车开发者的DRV8701电机驱动器专项技术资料包聚焦直流无刷与步进电机的高效、安全驱动实现解决小型智能车辆中电机响应滞后、电流控制粗放、热保护缺失等典型工程问题。压缩包共6个文件含3个JSON格式的原理图与PCB设计文件支持Altium Designer等主流EDA工具导入、2个ZIP封装的完整项目工程含Gerber文件与驱动电路工程源码以及1份关键说明TXT文档总大小462KB结构清晰、开箱即用。已有2214人学习下载内容覆盖DRV8701芯片的PWM/SPWM控制逻辑、霍尔电流检测闭环配置、双电源供电设计要点及过流/热关断保护电路实现配套实际参赛电路板2021年十六届智能车驱动板的完整硬件方案可直接用于调试验证或二次开发。1. 项目概述从芯片到系统理解DRV8701的价值最近在做一个需要精确控制直流有刷电机的小项目从简单的玩具车到工业级的精密仪器电机驱动都是绕不开的核心。市面上模块很多从经典的L298N、TB6612到更集成的方案选择不少。但当你对效率、保护功能和集成度有更高要求时像TI的DRV8701这类全桥栅极驱动器就进入了视野。它本身不是一个完整的“模块”而是一颗驱动芯片负责安全、高效地驱动外部的MOSFET来构成H桥从而控制电机正反转、调速和刹车。相比于直接将MOS管接在单片机IO口上使用DRV8701这样的专用驱动器就像是给MOS管请了一位专业的“保镖”和“指挥官”不仅能提供足够的驱动电流让MOS管快速、彻底地开关还集成了过流、欠压、过热等一大堆保护功能让系统可靠性直接上了一个台阶。很多朋友刚开始接触电机驱动可能都用过L293D这种古老的芯片或者TB6612这种集成度较高的模块。它们用起来简单但效率通常不高发热大电流能力也有限。而直接搭建分立MOS管的H桥电路对驱动电路的设计要求又很高稍有不慎就会导致MOS管发热损坏甚至炸管。DRV8701恰恰填补了这个空白它把驱动和保护的核心逻辑都做好了你只需要根据电流需求选配合适的MOS管就能搭建出一个性能强劲、安全可靠的驱动电路。这对于那些想从“用模块”进阶到“懂原理并自己设计”的工程师或爱好者来说是一个非常好的学习和实践载体。接下来我会结合自己的实际调试经验从芯片工作原理、外围电路设计、关键参数计算到软件配置和故障排查完整地拆解如何用好DRV8701这颗芯片。无论你是想深入了解电机驱动电路的设计细节还是正在为某个项目寻找可靠的电机驱动方案相信这些内容都能给你提供直接的参考。2. DRV8701核心功能与方案选型逻辑2.1 芯片定位为什么是栅极驱动器而非全集成驱动首先要明确一点DRV8701是一颗“全桥栅极驱动器”。这意味着它内部不包含功率MOSFET它的核心任务是驱动外接的四个N沟道MOSFET组成一个H桥。这与TB6612、DRV8833等内部集成功率管的“电机驱动器”有本质区别。选择这种方案的核心逻辑在于灵活性与性能的平衡。全集成方案胜在简单、体积小但电流能力、耐压和散热通常受限于芯片封装。比如一个集成驱动芯片可能最大持续电流只有1-2A。而采用“驱动器外置MOS管”的方案你可以根据实际需求比如需要驱动24V/10A的电机自由选择不同规格的MOS管理论上只要MOS管够强电流可以做得很大。同时功率损耗主要发生在外置MOS管上你可以通过加装散热片等方式灵活处理散热问题系统的热设计空间更大。DRV8701在这个架构中扮演大脑和桥梁的角色。它接收来自单片机MCU的简易控制信号如PWM调速、方向控制然后将其转化为能够安全、快速驱动MOS管栅极的强电流信号。它内部集成了电荷泵专门用来解决N沟道MOS管上桥臂驱动需要高于电源电压的难题即自举电路原理省去了外部搭建自举电路的麻烦。2.2 关键特性解析它解决了哪些痛点集成式保护功能这是使用专用驱动器的最大优势之一。DRV8701集成了多项保护大大减轻了软件负担并提高了硬件可靠性。过流保护OCP通过检测外置采样电阻SR引脚上的电压来监测电机电流。当电流超过设定阈值时芯片会立即关闭所有输出防止MOS管和电机因过载而损坏。这个阈值可以通过VDS引脚的监测模式或外部比较器来灵活设置。欠压锁定UVLO监测芯片的VDD逻辑电源和PVDD功率电源。当任一电源电压过低时芯片会禁止输出防止MOS管因驱动电压不足而工作在线性区产生巨大发热。过热关断TSD当芯片结温超过安全值典型值165°C时自动关闭输出。灵活的接口与控制DRV8701提供了两种控制接口模式通过MODE引脚选择。PH/EN模式相位/使能这是最常用的模式。IN1PH控制电流方向正转/反转IN2EN接收PWM信号进行调速。逻辑清晰编程简单。PWM模式IN1和IN2分别接收一对互补的PWM信号来控制H桥。这种模式可以实现更精细的控制比如支持同步整流在PWM关断期间通过MOS管体二极管续流损耗更小但对MCU的PWM生成有一定要求。可调节的栅极驱动强度通过IDRIVE引脚配置可以设置输出到MOS管栅极的峰值源电流和灌电流大小。这个功能非常实用。驱动电流大MOS管开关速度快开关损耗小但可能引起较大的电压尖峰和EMI问题驱动电流小开关速度慢开关损耗大但电压尖峰小。你需要根据所选MOS管的栅极电荷Qg和开关频率来折中调整。TI的官网上有计算工具但我的经验是对于大多数中小功率应用先选择中间档位如IDRIVE配置为100mA源出/200mA灌入开始调试是稳妥的。注意在方案选型时务必对比数据手册中的“绝对最大额定值”。DRV8701的PVDD引脚绝对最大电压是45V这意味着你的电机电源电压VM必须低于此值并留有余量考虑到浪涌电压通常建议工作在30V以下。如果你的应用是12V或24V系统那它非常合适。3. 电路设计详解从原理图到参数计算光看懂芯片手册不够把电路正确搭建出来才是关键。这里我以一个典型的24V供电、峰值电流约5A的直流有刷电机驱动为例拆解每个外围元件的设计考量。3.1 功率回路设计MOS管、续流二极管与电源功率回路是电流流经的路径设计不当直接导致效率低下甚至损坏。MOS管选型这是决定驱动板电流能力的核心。你需要关注以下几个关键参数漏源击穿电压Vds必须大于电机电源电压VM并留有充足裕量。对于24V系统选择Vds ≥ 40V或55V的MOS管比较安全以应对电机反电动势等产生的电压尖峰。连续漏极电流Id根据电机堵转电流或你的最大需求电流来选同样要留裕量比如2倍。对于5A应用选择Id 10A的MOS管。导通电阻Rds(on)这个值直接影响导通损耗P_loss I² * Rds(on)。在满足电压电流的前提下Rds(on)越小越好但通常价格也越高。需要根据散热条件进行权衡。栅极电荷Qg这个参数直接影响DRV8701驱动它的难易程度和开关速度。Qg越小MOS管开关越快驱动损耗也越小。DRV8701的驱动能力是有限的如果Qg太大会导致开关速度过慢增加损耗。续流二极管虽然在MOS管内部有体二极管但在电机这种感性负载应用中体二极管的性能反向恢复时间慢正向压降大可能导致在PWM关断期间产生较大的续流损耗和电压尖峰。因此强烈建议在每个MOS管的漏源之间并联一个高速的肖特基二极管通常称为续流二极管或飞轮二极管。肖特基二极管正向压降低、反向恢复时间极短能为电机电感产生的反向电动势提供一条更优的泄放路径显著降低MOS管承受的电压应力和发热。选择时其反向耐压和正向电流能力需与MOS管匹配。电源去耦电容这是保证稳定工作的基石。必须在电机的电源输入端VM到GND就近放置一个大容量的电解电容如100uF-470uF/35V来储能和缓冲低频干扰同时并联一个或多个小容量的陶瓷电容如0.1uF和1uF来滤除高频噪声。电容应尽量靠近DRV8701的PVDD引脚和MOS管的漏极连接点。3.2 栅极驱动与自举电路这是DRV8701的核心工作区域。自举电路为了让上桥臂的N-MOS管导通其栅极电压必须高于源极电压即VM。DRV8701内部集成了电荷泵和自举电路管理逻辑我们只需要提供外部元件。自举二极管Dbs连接在VDRAIN引脚和BSTx引脚之间。当对应下桥臂MOS管导通时VDRAIN引脚电压被拉低到接近地此时VCP电荷泵输出的电压约VDD5V通过这个二极管给自举电容充电。必须使用快速恢复二极管其反向恢复时间要快以减小电荷损失。反向耐压需高于VM电压。自举电容Cbs连接在BSTx引脚和SHx引脚之间。它的作用是在上桥臂需要导通时提供高于VM的栅极驱动电压。容值选择很关键太小可能无法维持整个上桥臂导通周期太大则充电时间过长可能影响高频PWM下的正常工作。数据手册给出了计算公式但一个经验值是对于开关频率在20kHz以下的应用使用0.1uF到1uF的陶瓷电容通常没问题。我常用0.47uF/25V的X7R或X5R材质陶瓷电容。栅极电阻可选在DRV8701的GHx/GLx输出和MOS管栅极之间可以串联一个小电阻通常0-10欧姆。它的主要作用是抑制栅极驱动回路中的振荡。由于驱动走线和MOS管栅极存在寄生电感与MOS管的输入电容Ciss可能形成LC振荡电路导致栅极电压振铃可能引起MOS管误开通或EMI问题。串联一个几欧姆的电阻可以阻尼这个振荡。我的建议是在PCB布局允许的情况下可以先预留位置比如放一个0欧姆电阻在调试时如果观察到栅极信号有严重振铃再焊接合适阻值的电阻。3.3 电流采样与保护电路配置DRV8701通过检测连接在SR引脚和地之间的采样电阻Rsense上的压降来感知电机电流。采样电阻选择阻值阻值大小需要在“测量精度”和“功耗”之间权衡。阻值大同样的电流产生的压降大测量更灵敏、抗干扰能力强但电阻自身的功耗P I² * R也大发热严重。阻值小则相反。通常我们会让电机最大电流在采样电阻上产生的压降在50mV到200mV这个范围。例如对于5A最大电流选择0.01欧姆10mΩ的电阻满电流时压降为50mV。功率与精度必须选择功率足够通常1W以上且低感抗的采样电阻如贴片合金电阻或专用的电流检测电阻。其功率额定值必须大于最大电流的平方乘以阻值并留有余量。例如5A通过0.01欧电阻连续功耗为0.25W至少应选择0.5W或1W的电阻。连接采样电阻必须尽可能靠近MOS管的源极和地采用开尔文连接四线制方式连接到SR引脚以消除走线电阻的影响确保检测精度。保护阈值设置DRV8701的过流保护比较器基准电压固定为500mV。这意味着当SR引脚电压即采样电阻压降超过500mV时会触发过流保护。因此过流保护点OCP直接由采样电阻阻值决定I_ocp 0.5V / Rsense。按照上面0.01欧的例子OCP点就是50A这显然太高了。为了设置一个合理的OCP点比如6A我们有三种方法方法A使用VDS监测模式这是DRV8701的特色功能。将VDS引脚通过一个电阻分压网络连接到MOS管的漏极。芯片内部会监测MOS管的导通压降Vds。当电流增大导致Vds超过内部设定的阈值时触发保护。这种方式无需改变采样电阻但精度相对较低且受MOS管Rds(on)温度漂移影响。方法B使用外部比较器这是最灵活、最精确的方法。使用一个外部比较器如LMV331一端接采样电阻的电压另一端接一个由MCU DAC或电阻分压产生的可调参考电压。比较器的输出连接到DRV8701的nFAULT或nSLEEP引脚一旦超限就通过拉低这些引脚来禁用驱动器。这种方法可以实现动态的电流限制和复杂的保护逻辑。方法C调整采样电阻如果想用芯片内部的500mV比较器那么对于6A的OCP点需要Rsense 0.5V / 6A ≈ 0.083欧姆。这个阻值较大在5A电流下功耗高达2W以上发热非常严重通常不推荐。在实际项目中如果对电流保护精度要求高我通常会选择方法B虽然增加了一个比较器但可控性和精度最好。4. PCB布局与布线实战要点电机驱动板的PCB布局是成败的关键布局不好再好的原理图也白搭。高频的PWM开关会产生很大的di/dt和dv/dt糟糕的布局会导致地弹噪声、电压尖峰、振荡甚至误触发。4.1 功率回路最小化这是首要原则没有之一。功率回路指的是电源正VM→ 上桥MOS管 → 电机 → 下桥MOS管 → 采样电阻 → 电源地GND这个电流路径。这个环路的物理面积必须尽可能小。环路面积越大它就像一个大天线产生的寄生电感也越大。在PWM开关瞬间巨大的电流变化di/dt会在这个寄生电感上产生感应电压V L * di/dt形成严重的电压尖峰和电磁干扰。具体做法将高侧和低侧的MOS管、采样电阻紧密排列在一起。使用顶层和底层铺铜通过大量过孔并联的方式为功率电流提供最短、最宽的路径。想象电流像水流你要给它修一条又宽又直的“高速公路”而不是弯弯绕绕的“乡间小道”。电机连接端子、电源输入端子应直接连接到这个功率回路的铺铜上。4.2 地平面分割与单点接地地线处理不当是噪声的主要来源。建议采用“单点接地”或“星型接地”策略。功率地PGND功率回路的地连接采样电阻、MOS管源极、电源输入电容地端。这部分地线要粗壮。信号地AGND/GNDDRV8701的GND引脚、VDD旁路电容地端、单片机接口部分的地。连接点在PCB上将功率地和信号地在一点连接起来通常这个点选择在采样电阻的接地端或电源输入电容的接地端。这样可以避免功率地线上的大电流波动噪声通过公共地线串扰到敏感的芯片信号地。4.3 敏感信号线的保护SR引脚走线这是检测微小电压毫伏级的线路极易受干扰。必须采用差分走线或开尔文连接方式直接从采样电阻的两端引出平行、等长、紧密地走到芯片SR和GND引脚并远离任何高频、大电流的走线如GHx/GLx、电机线。nFAULT、nSLEEP等逻辑输入引脚如果走线较长可以考虑串联一个小的滤波电阻如1kΩ或并联一个去耦电容如1nF到地以提高抗干扰能力。自举电容和二极管必须尽可能靠近DRV8701的相应引脚BSTx,GHx,SHx放置回路面积要小。4.4 散热设计功率MOS管和采样电阻是主要热源。务必在它们的下方或背面预留足够的铜皮面积来散热必要时在PCB背面放置散热片。可以使用多个过孔将热量从顶层传导到底层的铺铜区域。对于DRV8701本身如果驱动多个大功率MOS管且开关频率很高其自身也会有发热确保其GND引脚散热良好。实操心得画完PCB后一定要用肉眼检查一遍功率回路。可以用高亮显示网络的方式看看从电源正到电源负的路径是否简短、宽阔。一个简单的检查方法是想象一下瞬间几十安培的电流会怎么走你的布局是否给这条“洪流”提供了最小阻力的路径如果不是赶紧调整。5. 软件驱动与配置流程硬件准备就绪后就需要通过单片机MCU来驱动DRV8701了。这个过程相对直接但有些细节需要注意。5.1 初始化序列上电后不要立即输出PWM应遵循一个安全的初始化序列硬件使能确保nSLEEP引脚被拉高如果使用此引脚。nSLEEP为低时芯片处于低功耗睡眠模式所有功能关闭。电源稳定等待给VDD和PVDD上电后等待一段时间如1-2ms让芯片内部的稳压器和电荷泵稳定工作。数据手册中通常有“Power-On Reset Time”的参数。配置引脚根据硬件连接配置MCU与DRV8701相连的GPIO引脚模式IN1,IN2,MODE等为输出nFAULT为输入。设置控制模式根据MODE引脚的硬件电平拉高或拉低确定芯片工作在PH/EN模式还是PWM模式。软件上需要知晓此模式以正确解释IN1/IN2的功能。检查故障状态读取nFAULT引脚状态如果连接了。如果为低电平表示存在故障过流、过热、欠压等需要先排查故障原因不能强行驱动。5.2 PH/EN模式下的控制真值表与编程这是最常用的模式。假设MODE引脚接高电平选择PH/EN模式。IN1 (PH)IN2 (EN/PWM)OUT1 (GH1/GL1)OUT2 (GH2/GL2)电机状态00低侧开低侧开滑行/停止 (低侧慢衰减)0PWM低侧开PWM (高/低侧切换)反转调速10低侧开低侧开滑行/停止 (低侧慢衰减)1PWMPWM (高/低侧切换)低侧开正转调速x1 (固定高)根据IN1决定根据IN1决定全速正转/反转 (不推荐长期使用)编程示例伪代码// 假设引脚定义 #define MOTOR_PH_PIN GPIO_PIN_1 #define MOTOR_EN_PIN GPIO_PIN_2 #define MOTOR_TIM htim1 // 用于PWM生成的定时器 #define MOTOR_CHANNEL TIM_CHANNEL_1 // 1. 初始化GPIO和PWM定时器 void Motor_Init(void) { // 使能时钟配置PH EN为输出模式 nFAULT为输入模式... HAL_TIM_PWM_Start(MOTOR_TIM, MOTOR_CHANNEL); // 启动PWM生成但占空比先设为0 } // 2. 设置电机转速和方向 // speed: 0-1000, 对应0%-100%占空比 // direction: 0反转 1正转 void Motor_Set(int32_t speed, uint8_t direction) { // 限制速度范围 if(speed 0) speed 0; if(speed 1000) speed 1000; // 设置方向 HAL_GPIO_WritePin(MOTOR_PH_GPIO_Port, MOTOR_PH_PIN, direction); // 设置PWM占空比 uint32_t pulse (speed * MOTOR_TIM.Init.Period) / 1000; __HAL_TIM_SET_COMPARE(MOTOR_TIM, MOTOR_CHANNEL, pulse); } // 3. 刹车功能 void Motor_Brake(void) { // 快速刹车将两个输入都设为低取决于衰减模式这里是低侧慢衰减刹车力较弱 // 或者更有效的刹车设置PH为某值EN为高然后迅速将两个输出都设为低需要结合硬件和驱动模式 // 更常见的做法是使用驱动器的“刹车”功能可能需要配置寄存器或特定引脚组合。 // 对于DRV8701在PH/EN模式下一种刹车方法是设置IN10, IN20同时确保驱动器使能。 // 另一种是通过同时开启特定MOS管实现能耗制动。需要仔细查阅数据手册的真值表。 HAL_GPIO_WritePin(MOTOR_PH_GPIO_Port, MOTOR_PH_PIN, 0); __HAL_TIM_SET_COMPARE(MOTOR_TIM, MOTOR_CHANNEL, 0); // EN置0 }注意上面的刹车函数是一个简化示例。在实际中实现快速、有效的电气刹车需要根据DRV8701的具体衰减模式和你的MOS管配置来操作。有时需要进入“快衰减”模式让电流通过MOS管体二极管或外部分流电阻快速消耗掉。5.3 关键参数配置死区时间与驱动电流虽然DRV8701没有软件寄存器来配置死区时间Dead Time但硬件死区时间是内置且固定的典型值~200ns。死区时间是为了防止H桥同侧的上、下两个MOS管同时导通造成电源直通短路Shoot-Through的灾难性后果。这个内置死区时间对于大多数应用是足够的。你不需要在MCU的互补PWM输出中再额外添加死区时间否则可能导致控制异常。驱动电流IDRIVE配置通过IDRIVE引脚的两个逻辑电平连接到MCU的GPIO或固定电平来设置。你需要根据MOS管的Qg和开关频率来查表选择。一个实用的调试方法是先用较小的驱动电流如50mA源出/100mA灌入开始测试用示波器测量MOS管的栅极电压波形。如果开关沿非常缓慢上升/下降时间过长则增加驱动电流档位。同时用示波器探头最好用差分探头测量MOS管的漏源电压Vds观察开关瞬间的电压尖峰。目标是找到开关速度和电压尖峰的一个平衡点。对于开关频率在20kHz以内的应用中间档位通常是个安全的起点。6. 调试、测试与故障排查实录电路板焊接好程序也写好了上电测试才是真正的开始。下面是我在调试DRV8701驱动板时遇到的一些典型问题及解决方法。6.1 上电无反应或芯片发烫现象接上电源电机不转DRV8701芯片或MOS管迅速发热。排查步骤断电检查首先万用表二极管档检查H桥四个MOS管的体二极管是否正常排查是否有焊接短路DS、GS短路。测量静态电压断开电机单独给控制板上电。测量VDD引脚电压应为3.3V或5VPVDD引脚电压应为电机电源电压如24V。测量nFAULT引脚电压正常应为高电平如果为低说明有故障锁存。检查自举电容电压在IN1/IN2都为低电机停止的状态下测量BST1对SH1的电压以及BST2对SH2的电压。正常应比PVDD高5V左右即VCP电压。如果为0或很低检查自举二极管是否焊反、损坏自举电容是否短路。逐步测试如果静态电压都正常尝试给一个很低的固定占空比PWM如5%用示波器观察GHx和GLx引脚是否有输出波形。务必先接一个假负载如大功率电阻代替电机进行测试避免意外。6.2 电机抖动、噪音大或转速不稳现象电机能转但发出刺耳的啸叫声或转速时快时慢。可能原因与解决PWM频率不当直流有刷电机的PWM频率不能选在音频范围内20Hz-20kHz否则线圈和铁芯的振动会产生人耳可闻的噪音。通常建议选择20kHz以上如25kHz这样既高于人耳听觉范围开关损耗也在可接受范围内。用示波器检查MCU输出的PWM频率是否正确。电源问题电机启动或堵转时电流很大可能导致电源电压被拉低触发DRV8701的欠压保护UVLO从而关闭输出电压恢复后又开启造成抖动。检查电源的电流输出能力是否足够电源线上的压降是否过大。确保电源输入端的大容量储能电容如470uF容量足够且靠近板子。控制信号干扰连接MCU和驱动板的IN1、IN2、PWM等信号线如果过长且没有屏蔽容易引入干扰。确保信号线简短或在驱动板端为这些输入信号增加一个小的下拉电阻如10kΩ到地提高抗干扰能力。6.3 过流保护OCP误触发或频繁触发现象电机一启动或稍微加载驱动器就进入保护状态nFAULT引脚变低。排查思路确认采样电阻和OCP点计算你实际使用的采样电阻阻值对应的理论OCP电流。用示波器电流探头或一个精密的万用表测量电机启动时的峰值电流是否真的超过了这个值。电机启动时的浪涌电流可能很大是稳态电流的5-10倍。检查VDS引脚配置如果使用如果你使用了VDS监测模式检查连接VDS引脚的分压电阻是否计算正确确保在正常工作时VDS引脚电压低于内部阈值。同时注意MOS管的Rds(on)会随温度升高而增大可能导致热态下更容易误触发。电压尖峰导致误判在PWM开关瞬间功率回路寄生电感产生的电压尖峰可能会通过某种途径耦合到电流检测回路导致采样电压出现瞬时尖峰误触发OCP。检查PCB布局确保SR引脚走线远离噪声源。可以在采样电阻两端并联一个小的RC滤波电路如1kΩ 100pF但要注意这会引入相位延迟影响动态响应。调整启动策略如果确实是启动浪涌电流过大可以在软件上实现一个“软启动”功能。即电机启动时PWM占空比从0开始缓慢增加如每10ms增加1%而不是一下子给到高占空比这样可以有效限制启动电流。6.4 MOS管发热严重现象电机运行一段时间后MOS管或散热片烫手。损耗分析MOS管发热主要来自导通损耗和开关损耗。导通损耗检查MOS管的Rds(on)是否合适。在最大工作电流下计算导通损耗P_con I_rms² * Rds(on)。如果损耗过大考虑更换Rds(on)更小的MOS管或并联多个MOS管分担电流。开关损耗开关损耗发生在导通和关断的瞬间。用示波器测量MOS管的Vds和Id波形观察其交叠区域。如果开关速度过慢波形上升/下降沿时间长交叠面积大开关损耗就大。可以尝试增大DRV8701的IDRIVE设置加快开关速度。但要注意开关速度过快又会导致电压尖峰变大。续流损耗在PWM关断期间电机电流通过MOS管的体二极管或外部的肖特基二极管续流。二极管的正向压降Vf会产生损耗。确保使用了高性能的肖特基二极管其Vf越低越好。散热设计检查MOS管的散热是否充分。是否使用了足够大的散热片PCB上的散热焊盘面积是否够大是否使用了导热硅脂热阻是否计算过调试电机驱动是一个系统工程需要耐心和细致的观察。示波器是你的最佳伙伴一定要学会用它观察电源电压、栅极驱动波形、电机相电压和电流波形。从波形中往往能直接看出问题的根源。最后安全第一特别是在调试高压大电流电路时做好隔离避免短路一步步来。本文还有配套的精品资源点击获取
