1. 整体设计思路为什么用Multisim来学MOS管电源开关电路我估计不少人第一次接触MOS管开关电路都是在做电源控制、电机驱动或者电平转换的时候。画原理图时信心满满一到实际焊接和调试就翻车NMOS明明按网上教程接的负载就是不动作PMOS接上后关不干净待机功耗直接超标。折腾半天不知道问题出在哪。这里我建议你第一步先别急着焊板子用Multisim把电路仿真跑通把波形和电压关系看清楚再回过头来动手做实物踩坑成本能低不少。这几年Multisim在我日常教学和方案验证里一直当主力工具用哪怕现在EDA软件一大把我遇到MOS管开关、三极管放大、运放电路这类“模拟域”问题还是会习惯性先开Multisim验证一遍。原因很简单它上手快器件库对常用半导体管子覆盖得很全虚拟仪器用起来跟真实示波器、万用表几乎没差别。尤其适合刚接触MOS管的人把N-MOS和P-MOS两种配置的导通条件、电平关系、波形细节全部仿真对比一遍远比你直接看几十页datasheet来得直观。说到“电源开关电路”这其实是工程里特别常见的一类基础单元电路。可以简单理解为用一个低压的控制信号比如单片机的GPIO3.3V或5V去控制一个高压或大电流的负载通断比如12V的继电器、风扇、灯带、电机等。核心器件就是MOS管它在这里相当于一个电子开关。用N-MOS和用P-MOS电路接法完全是两套逻辑很多人就是在这里绕晕的。我在实际项目中总结过一条经验Multisim仿真的目的不是替代实物调试而是帮你在原理层面提前把“应该是什么样”搞清楚。仿真通过之后再动手踩坑点会少很多。对于MOS管这种依赖电压驱动、对栅极电平很敏感的器件仿真尤其适合观察那些肉眼和万用表都很难捕捉的瞬态过程比如米勒效应导致的栅极电压平台、开关切换瞬间的电压过冲等。接下来这篇文章我会从最基础的MOS管导通条件讲起分别带你把N-MOS低压侧开关、P-MOS高压侧开关两种配置在Multisim里完整跑一遍。每步都会说明为什么这样接、参数怎么选、波形怎么看。最后还会把仿真过程中容易遇到的几个坑比如Multisim访问数据库报错、仪器不全、仿真速度太慢等问题一并给出解决办法。1.1 N-MOS和P-MOS先分清再动手聊开关电路之前得先把两种MOS管的“脾气”搞清楚。很多人记不住导通条件其实是没理解它们内部的沟道类型和电流方向。N沟道MOS管N-MOS栅极电压相对源极较高时导通也就是VGS大于阈值电压VGS(th)时导通。电流方向从漏极到源极负载一般接在漏极和电源之间源极直接接地。这种接法叫“低压侧开关”因为开关在负载和地之间。优点是用3.3V或5V的单片机IO口就能很方便地驱动只要VGS超过阈值管子就能完全导通。P沟道MOS管P-MOS正好相反栅极电压相对源极较低时导通也就是VGS小于负的阈值电压时导通即VGS为负值时导通。电流方向从源极到漏极负载接在漏极和地之间源极接电源。这种接法叫“高压侧开关”因为开关在电源和负载之间。P-MOS在电池供电系统里用得很多能直接切断负载的电源正极负载负极可以公共接地。在实际选型时N-MOS通常是首选原因有三点导通电阻普遍更低、成本更便宜、型号选择更多。P-MOS一般是在“无法接受低压侧开关带来的浮地”或者“需要用正极通断控制”时才被迫使用。所以下面我会先用N-MOS把最常用的低压侧开关电路仿真给你看再讲P-MOS的高压侧接法以及两者之间的互补配合。1.2 电源开关电路的三种常见方案对比我们做电源开关控制绕不开下面这三种典型接法。Multisim仿真最强的价值就在于可以把你对这三者的模糊理解变成看得见的电压和电流波形。方案典型接法导通条件电平要求适用场景N-MOS低压侧开关负载在漏极源极接地VGS VGS(th)控制电压高于阈值即可3.3V/5V常可直驱电机、继电器、风扇、灯带通断P-MOS高压侧开关源极接电源负载在漏极VGS -VGS(th)即VGS为负控制信号需接近电源电压低压MCU不能直驱电池供电系统、电源负极端公共地的设备P-MOS N-MOS组合小功率N-MOS驱动大功率P-MOS栅极互补逻辑MCU输出经N-MOS反相后驱动P-MOS低压MCU控制高压侧负载通断从这张表格能看出N-MOS低压侧开关对单片机开发者最友好电平匹配简单。但它的代价是负载不能一端直接接地如果你想控制的对象负极必须接地那方案一就不合适了。P-MOS高压侧开关刚好解决这个问题但它对栅极驱动电平有要求一个3.3V的MCU引脚根本没法直接把P-MOS栅极拉到比源极低足够多的电压这时候就需要加一级N-MOS或者三极管去做电平转换。这个“高低搭配”我后续会专门仿真一场这是工程里非常典型的混合配置。1.3 用Multisim仿真的价值以及它的边界在哪我经常被人问“软件仿真结果能当真吗”我的回答是能当参考但不能完全替代实物。拿MOS管开关电路来说Multisim里的MOS管模型是基于datasheet参数建立的理想化模型它能把导通电压、导通电阻、开关阈值这些静态特性模拟得比较准确。你想验证“栅极电压多高时管子能导通”“负载电流大概是多大”“开关切换时栅极波形长什么样”Multisim完全够用。但对于PCB寄生电感、实际走线电阻、温度漂移这些物理层面的非理想因素仿真软件就不太能体现出来这些还得靠实物调试去修正。所以我对它的定位是原理验证和教学演示的最佳工具工程实战的前置检查站。把Multisim里跑通的电路再搬到实物上你至少要留出20%的余量来应付实际元器件离散性和环境干扰。这也是我写这篇文章想要传递的一个核心观念先仿真后焊接。2. 仿真准备Multisim环境与器件选择2.1 新建工程与常见报错处理打开Multisim之后第一件事是新建一个Design。菜单栏选择File-New-Design软件会生成一个默认的电路图页面。这个操作本身没有难度但很多人在这一步会遇到一个劝退级报错“访问数据库发生错误”或者“主数据库无法访问”。这个问题我在给学生上课时几乎每届都会遇到好几回处理办法其实很简单。Multisim的元件库依赖于一个数据库文件通常是Master Database。当这个数据库路径包含中文、特殊字符或者软件安装时没有正确写入注册表就会出现访问异常。解决步骤如下关闭Multisim以管理员身份重新运行软件。打开Options菜单下的Global Preferences找到File Saving路径相关设置确认数据库路径指向了Multisim安装目录下的database文件夹。如果仍然报错进入安装目录如C:\Program Files (x86)\National Instruments\Circuit Design Suite 14.x\database找到MasterDB文件右键属性把只读勾选去掉。重启软件再新建Design一次一般就能正常访问元件库了。这个坑其实和电路本身没关系但卡在这连一个元件都拖不出来确实很打击积极性。所以我还是放在最前面说省得你仿真还没开始就先被工具劝退了。2.2 放置MOS管和设置关键参数在Multisim里MOS管可以从Place-Component菜单中查找。搜索栏输入“IRF530”或者“IRF9530”就能找到对应的N-MOS功率管和P-MOS功率管。这两个型号是我做仿真时的老朋友IRF530是N-MOS耐压100V、电流14A导通电阻大约0.16欧IRF9530是P-MOS耐压100V、电流12A导通电阻大约0.3欧。它们的参数足够典型很适合用来演示开关电路行为。放好管子之后双击器件可以打开属性面板。在这里需要重点关注的参数有三个VGS(th)栅极阈值电压。IRF530的典型阈值电压在2V到4V之间意味着栅极电压必须超过这个值管子才会开始导通。我仿真时会把VGS驱动电压设成10V确保管子完全导通、进入低导通电阻区。RDS(on)导通电阻。当VGS足够高时漏源之间的等效电阻会降到很低。仿真中可以用万用表直接测量VDS如果VDS接近0V说明管子已经充分导通。CGD、CGS寄生电容参数。这些会影响开关速度Multisim默认模型已经包含不需要手动设置但在观察米勒效应时我们会用到这些参数的间接体现。还有一个小技巧Multisim默认会把MOS管的体二极管画出来。比如N-MOS内部会有一个从源极指向漏极的寄生二极管这在开关电源电路的续流路径分析里很重要。仿真时你会看到这个二极管的存在它并不是器件故障而是MOS管本身的物理结构别误删了。3. N-MOS低压侧开关电路仿真实操3.1 原理图搭建与节点连接这一节我们用N-MOS搭建最经典的“低压侧开关”电路。我先把器件清单列出来你可以直接在Multisim里依次放置元器件型号/参数作用Q1IRF530 (N-MOS)电子开关核心R110kΩ栅极下拉电阻防止栅极悬空R2100Ω负载电阻模拟一个功率负载V112V直流电源负载电源V25V直流电源用方波信号源调制控制信号模拟单片机GPIO输出U1函数发生器XFG1产生方波控制脉冲XSC1示波器观察VGS和VDS波形连接方式是这样12V电源的正极接负载电阻R2的一端R2的另一端接Q1的漏极D。Q1的源极S直接接地。Q1的栅极G接函数发生器的正输出端同时栅极和地之间接一个10kΩ下拉电阻R1确保在没有驱动信号时栅极是确定的低电平管子保持关断。12V电源的负极接地函数发生器的负输出端也接地。这里有个新手容易犯的错误把负载放在源极和地之间。对N-MOS来说如果负载接在源极源极电位就不再是0VVGS就等于控制电压减去负载压降很可能会导致栅极电压不足、管子无法完全导通。我见过不少人这么做结果仿真出来输出电压怎么都不对改回“负载在漏极”就正常了。这个接法错误在实物调试里更隐蔽用Multisim反而更容易暴露。3.2 激励源设置怎么给栅极一个“干净”的控制信号控制信号这一块建议不要直接用一个恒定的直流电压那样只能看到管子一直导通或关断学不到开关切换的动态过程。用函数发生器给一个方波频率设1kHz、幅度5V、占空比50%模拟单片机输出高低电平的效果。具体设置步骤双击函数发生器在Waveform区选方波。Frequency设1kHzDuty Cycle设50%Amplitude设5V。这里要注意Multisim的函数发生器Amplitude参数指的是峰值电压不是峰峰值。设置为5V时输出信号范围是-5V到5V。因为我们要的是0V到5V的单极性方波所以还要把Offset设为5V这样输出范围就变成0V到5V正好模拟单片机GPIO的高电平和低电平。这个细节很多人会忽略直接用Amplitude5V就开始仿真结果发现栅极电压在-5V和5V之间跳变。对N-MOS来说负压会导致栅极被反向偏置生产实际中可能损坏管子仿真里则表现为波形和预期不符。设置成Offset5V之后栅极电压才会在0V和5V之间切换这个和真实MCU输出逻辑一致。3.3 用示波器看VGS和VDS验证开关行为示波器接法也不复杂。用两路通道CH1接栅极G和地之间测VGSCH2接漏极D和地之间测VDS。注意这里VDS不是指漏源电压差而是漏极对地的电位。因为源极接地漏极对地电位就是VDS加上0V。如果负载上压降为12V那么漏极电压接近0V如果MOS管关断漏极电压就是12V。运行仿真后示波器上应该能看到这样两组波形CH1是0V到5V的方波CH2是12V到0V的反向方波。当栅极电压为5V时VGS超过阈值管子导通漏极电压被拉到接近0V当栅极电压为0V时管子关断漏极电压回到12V。两者正好逻辑反相这说明负载的通断状态完全受控于栅极。如果你把示波器的触发源设为CH1边沿触发还能清晰看到开关切换瞬间的波形细节电压跳变并不是瞬间完成的而是有一个短暂的上升沿和下降沿这就是MOS管寄生电容充放电导致的开关时间。仿真里这个时间通常在纳秒到微秒级别把示波器时基调到1us/div就能看得比较清楚。这个动作在后续电路调试里非常有用可以直观判断开关速度是否满足你的PWM频率要求。3.4 栅极下拉电阻为什么必须加我在前面的电路里专门加了一个10kΩ下拉电阻可能有人觉得多余但实际上这个电阻对电路稳定性至关重要。MOS管的栅极是绝缘的输入阻抗极高悬空时极易受外界干扰导致栅极电位不确定管子可能会在半导通状态来回横跳产生很大的功耗甚至烧毁器件。Multisim仿真里如果去掉下拉电阻直接给栅极接一个不通电的信号源波形会非常混乱。模拟的就是实物中引脚浮空的情况。加上下拉电阻后当控制信号为低电平时栅极通过电阻被可靠拉到地确保管子完全关断当控制信号为高电平时驱动源会克服下拉电阻的微弱分压把栅极拉到高电平。下拉电阻阻值不宜太小否则会增加驱动源负载也不宜太大否则抗干扰效果变差。工程上常用10kΩ到100kΩ之间Multisim仿真用10kΩ即可。这一点看似基础但在实际项目里很多人画电路图时图省事省略了下拉电阻结果MCU还没初始化时GPIO默认为高阻态MOS管随机误导通负载突然就启动了。如果你正在做继电器控制或电机启停强烈建议加上这个电阻。4. P-MOS高压侧开关电路仿真实操4.1 为什么有时候必须用P-MOS刚才我们用N-MOS做了低压侧开关很多场景下已经够用。但有一种情况N-MOS会束手无策负载的一端必须接地。比如车载设备车身地是公共地所有负载的负极都接在一起如果你用N-MOS做低压侧开关相当于在负载和地之间切一刀负载的负极就不再是“干净”的地这会让周边电路产生共地干扰。这时候就轮到P-MOS高压侧开关登场了。P-MOS的特点是源极接电源正极漏极接负载负载另一端接地。开关处在电源和负载之间切断的是电源正极负载负极始终保持共地。这非常符合很多电源管理和防反接电路的思路。但我得先说清楚P-MOS的直接驱动比N-MOS麻烦。因为让P-MOS导通的条件是VGS为负也就是说栅极电压要比源极电压低至少一个阈值电压的绝对值IRF9530大概是-2V到-4V。如果源极接的是12V电源那栅极至少要低于8V才能让管子开始导通。而单片机GPIO输出3.3V或5V远远高于这个“相对”要求直接接上去VGS变成负的接近-7V到-9V看起来好像也能导通但实际上你没法主动关断它因为GPIO低电平时栅极也是0VVGS-12V管子照样导通。这就有问题了。所以用P-MOS做高压侧开关时必须有一个电平转换电路来产生合适的栅极驱动电压。这就是下面要做的。4.2 用N-MOS配对驱动P-MOS互补配置仿真前面说了直接用MCU引脚驱不动P-MOS所以工程上最常见的办法是“N-MOS驱动P-MOS”用小管子控制大管子的栅极。电路结构是MCU的GPIO信号接N-MOS的栅极N-MOS的源极接地N-MOS的漏极通过一个电阻接到P-MOS的栅极同时P-MOS的栅极和源极之间接一个电阻比如10kΩ用于加速关断。P-MOS源极接12V电源P-MOS漏极接负载。这个电路的逻辑是这样的当MCU输出高电平5V时N-MOS导通N-MOS漏极被拉到接近0V也就是P-MOS栅极被拉到0V。此时P-MOS的VGS 0V - 12V -12V远小于-4V阈值P-MOS完全导通负载得电。当MCU输出低电平0V时N-MOS关断P-MOS栅极不再被拉低而是通过栅源电阻回到12V此时P-MOS的VGS 12V - 12V 0V不满足导通条件P-MOS关断负载断电。注意这里有个相位关系MCU高电平对应负载导通MCU低电平对应负载关断。如果你希望控制逻辑反相可以在中间再加一级三极管反相或者用软件翻转GPIO输出逻辑。在Multisim里的连接顺序是Q2N-MOS的栅极接函数发生器正输出0V到5V方波Q2源极接地Q2漏极接R3R3的另一端接Q3P-MOS的栅极同时Q3的栅极和源极之间跨接一个R410kΩQ3源极接12V正电源Q3漏极接负载电阻RLRL的另一端接地。示波器CH1可以测函数发生器输出也就是MCU控制信号CH2接到P-MOS漏极看负载端的电压变化。仿真运行后能看到控制信号为高电平时P-MOS漏极输出12V附近的高电平负载通电控制信号为低电平时P-MOS漏极输出0V负载断电。控制和输出同相位但这个“同相位”是靠一级N-MOS反相换来的逻辑上其实是两次反相抵消了。4.3 两种配置的本质区别用表格一次看懂很多人把N-MOS和P-MOS开关电路搞混归根到底是没理解“电压参考点”这个概念。我在Multisim里分别把两种配置跑完以后建议你做这样一件事情把两种电路放在同一个Design里左边放N-MOS低压侧开关右边放P-MOS高压侧开关然后分别截图保存。对比着看区别一目了然。对比维度N-MOS低压侧开关P-MOS高压侧开关管子位置负载与地之间电源与负载之间导通条件VGS 阈值正压VGS 负阈值负压源极接法源极接地源极接电源正极负载位置负载在漏极与电源之间负载在漏极与地之间一般控制电平3.3V/5V可以直接驱动需要比电源电压低至少几伏通常需电平转换典型应用MCU驱动继电器、风扇、灯带电池供电系统的电源总开关关断可靠性栅极拉到地即可可靠关断栅极必须拉到源极电位才能可靠关断补充说一句N-MOS做低压侧开关时源极接地所以栅极电压是相对于地的绝对电压3.3V电平就能驱动特别适合单片机系统。而P-MOS做高压侧开关时源极接的是电源正极栅极电压必须相对源极来判断。你习惯性地用“绝对电压”去思考就容易出错。仿真时你会直观看到同样是5V的控制信号接N-MOS和接P-MOS产生的效果完全不同。5. Multisim常见问题排查与仿真技巧5.1 访问数据库错误和仪器不全的解法前面提过“访问数据库发生错误”这里我再展开说一下。这个问题通常出现在软件安装后第一次运行或者电脑系统更新后。导致的原因有几种数据库文件权限异常、软件安装在非默认路径、杀毒软件误隔离了数据库文件。我处理过的解决方案里最有效的是这四步按顺序尝试以管理员身份运行Multisim。右键快捷方式选择“以管理员身份运行”很多权限类的报错能直接解决。在Options-Global Preferences-General选项卡里勾选“Use enhanced database access”类似选项。不同版本这个选项位置略有差异但都在Global Preferences里。手动检查软件安装目录下的database文件夹找到MasterDB相关文件取消只读属性。如果还是不行重装软件。安装时务必关闭杀毒软件路径不要选中文目录推荐默认安装到C盘Program Files目录下。至于“仪器不全”问题Multisim的右侧仪器工具栏可以自定义。如果找不到示波器、函数发生器、万用表这些仪表在View-Toolbars里把Instrument勾选出来即可。还有一个更快的办法直接按快捷键XFG是函数发生器XSC是示波器XMM是万用表按一下就会自动放到电路图界面里。5.2 仿真速度太慢或者不收敛怎么办仿真速度慢是Multisim的常见问题尤其在电路里加入了PWM控制信号、变压器或者非线性元件时。我这里有几个实用技巧调整仿真步长在Simulate菜单下点击Mixed-Mode Simulation Settings把“Maximum time step”适当调大。比如从默认的1e-5秒改成1e-4秒仿真速度会有明显提升。代价是波形分辨率会下降但大多数开关电路看个趋势完全够用。降低示波器采样率示波器Timebase设置得过小时软件为了绘制高精度波形会消耗大量计算资源。把时基调到合适范围比如1ms/div不要一味追求ns级细节。改用“Interactive Simulation”模式点击运行按钮旁边的下拉箭头选择Interactive Simulation这种方式下只仿真你关注的时间范围不会从头到尾跑完速度能快很多。检查是否存在振荡回路如果仿真始终不收敛通常是因为电路存在正反馈回路或者储能元件初始值冲突。在Transient Analysis设置里把“Initial Conditions”设为“Set to Zero”很多时候能解决不收敛问题。5.3 判断MOS管仿真结果是否正确的几个经验仿真跑完很多人不知道怎么看结果对不对只能照着教程抄一遍。我分享几个我判断波形是否合理的经验第一看截止时漏极电压是否等于电源电压。以N-MOS低压侧开关为例MOS管关断时漏极对地电压应等于负载电源电压12V。如果明显偏低说明负载电阻上产生了额外压降或者下拉电阻影响了分压。第二看导通时漏极电压是否接近0V。N-MOS完全导通后漏源之间只存在很小的导通压降等于负载电流乘以RDS(on)。如果漏极电压明显高于0V比如3V以上说明管子没有完全导通可能是栅极驱动电压不够高或者负载电流超过了管子能承受的范围。这时候可以适当增加栅极驱动电压或者换用更低导通电阻的型号。第三观察开关边沿是否出现过大的振铃。如果波形在跳变时出现明显的高频振荡多半是因为仿真电路里存在寄生电感或者你的示波器探头接地线过长。Multisim仿真里不太容易出现这种情况但如果出现可以在栅极串联一个几十欧姆的电阻抑制米勒效应导致的振铃。第四留意体二极管的影响。在N-MOS导通、P-MOS关断这类半桥拓扑中如果负载是感性元件比如继电器线圈或电机关断瞬间会产生反向电动势。此刻你会在示波器上看到一个负向的电压尖峰这就是体二极管在续流。Multisim能清楚地把这个现象模拟出来。这属于正常现象但设计PCB时要注意器件的耐压余量不能留太小。5.4 从仿真到实物有哪些坑是Multisim没告诉你的Multisim毕竟是一个理想化工具我这里提醒几个软件里看不出来、但实物必踩的坑栅极驱动电压要留足余量。仿真里5V刚好超过阈值管子就通得很好。但实物中MOS管阈值电压有离散性同一批次的不同管子可能差一两伏。工程上最好用10V驱动N-MOS或者选择逻辑电平MOS管VGS(th)比较低的型号确保批量生产时都能完全导通。PCB走线寄生电感。仿真里导线是理想导体没有阻抗。实际上PCB走线越长寄生电感越大开关瞬间的电压过冲就越厉害。PWM频率越高过冲越明显。设计高频开关电路时要尽量缩短栅极驱动回路和功率回路的走线长度。散热问题。仿真里MOS管不发热但实物中导通损耗和开关损耗都会变成热量。如果通过电流较大务必计算功耗并加散热片。IRF530这种封装在持续10A电流下温度上升非常快我见过有人没加散热片直接把管子烧了的。我个人习惯是仿真只把功能逻辑验证清楚到实物阶段再针对热、电磁干扰、驱动可靠性做充分余量设计。两者配合项目推进速度才会快。6. 进阶玩法把开关电路扩展到PWM调光和调速前面所有仿真用的都是低频方波每秒切换1000次。但在真实项目里MOS管开关电路更多时候会配合PWM信号使用实现亮度调节、电机调速、加热功率控制等功能。这里简单讲讲怎么在Multisim里做PWM仿真以及要注意什么。把函数发生器的频率从1kHz提高到20kHz占空比改成50%到10%之间变化再在示波器上观察负载电压波形。你会看到负载上的平均电压会随着占空比变化负载的表现就是灯变暗、电机变慢。Multisim里可以用多个不同的占空比来仿真验证你的PWM控制逻辑是否正常。有一点要特别注意PWM频率越高对MOS管的开关速度要求就越高。如果栅极驱动电阻太大开关边沿会变得平缓导致管子长时间工作在放大区而不是开关区功耗急剧上升。仿真中可以通过测量管子上的瞬时功耗来验证也就是VDS乘以ID的乘积。把两个波形相乘可以得到瞬时功率波形观察它是否在切换时出现了尖峰。如果尖峰过大就要考虑减小栅极电阻、换用驱动能力更强的栅极驱动芯片。还有一个很实用的仿真技巧在Multisim里给MOS管栅极加一个PWM信号时顺手测一下栅极电压和漏极电压的重叠时间。若重叠时间过长说明驱动能力不足这也是做实物前评估驱动电路能否胜任的最快方法。7. 最后一段我的一点实操经验Multisim仿真MOS管开关电路这件事我前前后后给不同基础的人讲过很多次每次都有人问“为什么我仿真出来和你的不一样”。绝大部分时候问题都出在信号源设置或参考点接错上极少有真正属于模型问题的情况。所以你在自己动手做的时候一旦结果不对先别急着怀疑软件回头检查一下你设置的电压参考点对不对、示波器探头的地线是不是接了正确的节点。我自己的体会是把N-MOS和P-MOS两种配置认真仿真一遍你对“MOS管到底是怎么当开关用的”这个问题会比看十篇教程都更通透。因为你会亲眼看到栅极电压如何控制漏极、负载如何通断、开关边沿如何变化。这种“看到”对建立电路直觉特别重要远胜过死记硬背“N-MOS漏极接负载P-MOS源极接电源”这类口诀。最后分享一个小技巧Multisim里的“Voltage/Current Probe”一定要多用。很多人只盯着示波器看忽略了在导线上放置电压和电流探针。这些探针能直接显示实时电压和电流数值在验证“MOS管导通电流是不是符合预期”时特别好用比你在示波器上数格子快得多。而且探针可以直接拖拽放在任意连线上非常方便。用会了探针你仿真效率能提升不少。
